Implementation of diagnostics functions in the IGBT drivers, part 1. Diagnostics
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU93486" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU93486 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Implementation of diagnostics functions in the IGBT drivers, part 1. Diagnostics
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with possibilities of power IGBT transistor diagnostics directly in driver of voltage source inverters. It is necessary to implement the diagnostics circuits as close as possible to the power IGBT transistor due to high demands on drive reliability and failure predictability in many applications. Possibilities of diagnostics quantities measurements are discussed in the paper. The measurements of transistor chip temperature, voltage overshoot size, off-state voltage, on-state saturation voltage, measurement of inverter output current, gate charge measurement and driver secondary side supply voltages are discussed. Possibilities of IGBT diagnosis and IGBT technical state based on measured data are also discussed. The paper also proposes some hardware solutions for obtaining mentioned information and methods of using measured data in IGBT downgrading progress monitoring, failure prediction and drive maintenance planning.
Název v anglickém jazyce
Implementation of diagnostics functions in the IGBT drivers, part 1. Diagnostics
Popis výsledku anglicky
The paper deals with possibilities of power IGBT transistor diagnostics directly in driver of voltage source inverters. It is necessary to implement the diagnostics circuits as close as possible to the power IGBT transistor due to high demands on drive reliability and failure predictability in many applications. Possibilities of diagnostics quantities measurements are discussed in the paper. The measurements of transistor chip temperature, voltage overshoot size, off-state voltage, on-state saturation voltage, measurement of inverter output current, gate charge measurement and driver secondary side supply voltages are discussed. Possibilities of IGBT diagnosis and IGBT technical state based on measured data are also discussed. The paper also proposes some hardware solutions for obtaining mentioned information and methods of using measured data in IGBT downgrading progress monitoring, failure prediction and drive maintenance planning.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 8th IEEE Symposium on Diagnostics for Electrical Machines, Power Electronics & Drives
ISBN
978-1-4244-9302-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
Neuveden
Místo vydání
Bologna, IT
Místo konání akce
Bologna
Datum konání akce
5. 9. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—