Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

On-line diagnostika výkonového měniče

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU98600" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU98600 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    On-line diagnostika výkonového měniče

  • Popis výsledku v původním jazyce

    V tomto článku je diskutována diagnostika výkonového tranzistoru. Publikované řešení je založeno na funkcích, přidaných do budiče výkonového tranzistoru. Je totiž nezbytné, aby měření veličin na tranzistoru bylo umístěno fyzicky co nejblíže tomuto prvku,stejně tak i základní zpracování signálů. To vše tvoříme ve snaze zajistit vysokou spolehlivost a předpovídatelnost poruch. V článku jsou popsány různé možnosti měření pro diagnostiku výkonového tranzistoru. Například velikost napěťového překmitu, napětí na vypnutém tranzistoru, saturační napětí, teploty čipu, výstupní proud větve, náboj řídicí elektrody a napájecí napětí sekundární strany budiče.

  • Název v anglickém jazyce

    On - line Diagnostics of Power Inverter

  • Popis výsledku anglicky

    Diagnostics of power IGBT transistor in voltage-source inverter is discussed in this paper. Proposed solution is based on embedded diagnostic functions in the IGBT driver. It is necessary that the measurement of diagnostic quantities is installed as close to the power IGBT transistor. Like other diagnostics circuits and processing. All this we make in order to high reliability and predictability of failures. In this paper are discussed possibilities of measurement quantities for transistor diagnostics.For example voltage overshoot size, off-state voltage, on-state saturation voltage, transistor chip temperature, inverter output current, gate charge and driver secondary side supply voltages are measured. We propose some hardware solutions for obtainingmentioned quantities.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ED0014%2F01%2F01" target="_blank" >ED0014/01/01: Centrum výzkumu a využití obnovitelných zdrojů energie</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 13th Scientific Conference on Electric Power engineering 2012

  • ISBN

    978-80-214-4514-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1-4

  • Název nakladatele

    Neuveden

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    23. 5. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku