Microplasma analysis and noise spectroscopy of c-Si solar cells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU95711" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU95711 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microplasma analysis and noise spectroscopy of c-Si solar cells
Popis výsledku v původním jazyce
Three sets of c-Si solar cells varying in front side phosphorus doped emitters were produced by standard screen printing technique. This paper brings the comparison of solar cell conversion efficiency and results from a noise spectroscopy and microplasmapresence. As it was already shown in previous publications [1-3] noise spectral density reflects the quality of solar cells and thus it represents an alternative advanced cell diagnostic tool. Our results confirm this relationship and moreover bring theclear evidence for the maximum spectral noise voltage density being related with the emitter structure. The best results were reached for a group of solar cell with selective emitter structure prepared by double phosphorus diffusion process.
Název v anglickém jazyce
Microplasma analysis and noise spectroscopy of c-Si solar cells
Popis výsledku anglicky
Three sets of c-Si solar cells varying in front side phosphorus doped emitters were produced by standard screen printing technique. This paper brings the comparison of solar cell conversion efficiency and results from a noise spectroscopy and microplasmapresence. As it was already shown in previous publications [1-3] noise spectral density reflects the quality of solar cells and thus it represents an alternative advanced cell diagnostic tool. Our results confirm this relationship and moreover bring theclear evidence for the maximum spectral noise voltage density being related with the emitter structure. The best results were reached for a group of solar cell with selective emitter structure prepared by double phosphorus diffusion process.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceeding of the ABAF-12 Meeting
ISBN
978-80-214-4357-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
165-170
Název nakladatele
ABAF
Místo vydání
Brno, CZ
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
11. 9. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—