Low-Frequency Noise and Microplasma Analysis for c-Si Solar Cell Characterization
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU99898" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU99898 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.hindawi.com/journals/ijp/2012/324853/" target="_blank" >http://www.hindawi.com/journals/ijp/2012/324853/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low-Frequency Noise and Microplasma Analysis for c-Si Solar Cell Characterization
Popis výsledku v původním jazyce
This paper brings the comparison of solar cell conversion efficiency and results from a noise spectroscopy and microplasma presence to evaluate the solar cell technology. Three sets of monocrystalline silicon solar cells (c-Si) varying in front side phosphorus doped emitters were produced by standard screen-printing technique. From the measurements it follows that the noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude. It has been established that samples showing low noise feature high-conversion efficiency. The best results were reached for a group solar cells with selective emitter structure prepared by double-phosphorus diffusion process.
Název v anglickém jazyce
Low-Frequency Noise and Microplasma Analysis for c-Si Solar Cell Characterization
Popis výsledku anglicky
This paper brings the comparison of solar cell conversion efficiency and results from a noise spectroscopy and microplasma presence to evaluate the solar cell technology. Three sets of monocrystalline silicon solar cells (c-Si) varying in front side phosphorus doped emitters were produced by standard screen-printing technique. From the measurements it follows that the noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude. It has been established that samples showing low noise feature high-conversion efficiency. The best results were reached for a group solar cells with selective emitter structure prepared by double-phosphorus diffusion process.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0859" target="_blank" >GA102/09/0859: Souvislost lokální emise světla se stochastickými jevy v PN přechodu solárních článků při velmi nízkých teplotách.</a><br>
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
INTERNATIONAL JOURNAL OF PHOTOENERGY
ISSN
1110-662X
e-ISSN
—
Svazek periodika
2012
Číslo periodika v rámci svazku
2012
Stát vydavatele periodika
EG - Egyptská arabská republika
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1-5
Kód UT WoS článku
000301242900001
EID výsledku v databázi Scopus
—