Optoelectronic diagnostics of defects in solar cell structures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100204" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU100204 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optoelectronic diagnostics of defects in solar cell structures
Popis výsledku v původním jazyce
Scanning proximal microscopy is successfully used for micro- or nanoscale diagnostics of defects in monocrystalline silicon solar cells. The elaborated method combines three different measurements: electric noise measurement, local topography and near-field optical beam induced current. To prove the feasibility of this method, we have chosen one bulk and one edge defect within the sample, which emitted light under low reverse-biased voltage.
Název v anglickém jazyce
Optoelectronic diagnostics of defects in solar cell structures
Popis výsledku anglicky
Scanning proximal microscopy is successfully used for micro- or nanoscale diagnostics of defects in monocrystalline silicon solar cells. The elaborated method combines three different measurements: electric noise measurement, local topography and near-field optical beam induced current. To prove the feasibility of this method, we have chosen one bulk and one edge defect within the sample, which emitted light under low reverse-biased voltage.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)