Electrical/dielectric properties of metal oxide nanostructured films synthesized by anodic oxidation of Al/Nb bilayers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU101699" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU101699 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrical/dielectric properties of metal oxide nanostructured films synthesized by anodic oxidation of Al/Nb bilayers
Popis výsledku v původním jazyce
Nanocomposite niobium-aluminium oxide films and columnlike nanostructured niobium oxide films are prepared by combining anodizing, chemical etching and annealing of sputtered Al/Nb metal layers. Under appropriate formation conditions, the films show dielectric or n-type semiconductor behavior. Potential applications are as active layers for chemical sensors and dielectrics for specific capacitors
Název v anglickém jazyce
Electrical/dielectric properties of metal oxide nanostructured films synthesized by anodic oxidation of Al/Nb bilayers
Popis výsledku anglicky
Nanocomposite niobium-aluminium oxide films and columnlike nanostructured niobium oxide films are prepared by combining anodizing, chemical etching and annealing of sputtered Al/Nb metal layers. Under appropriate formation conditions, the films show dielectric or n-type semiconductor behavior. Potential applications are as active layers for chemical sensors and dielectrics for specific capacitors
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
CG - Elektrochemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
R - Projekt Ramcoveho programu EK
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů