An Accurate DC and RF Modeling of Nonlinear Spiral Divider in High Voltage MOSFET Transistor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU105135" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU105135 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

An Accurate DC and RF Modeling of Nonlinear Spiral Divider in High Voltage MOSFET Transistor

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents an accurate DC and RF modeling of nonlinear spiral high resistance polysilicon divider. The spiral divider is a sensing part of the high voltage start-up MOSFET transistor operating up to 700 V. The strong electric field in low dopeddrain drift area located under the low doped polysilicon spiral divider results in parasitic effects that have a significant influence on DC and RF device characteristics and makes divider ratio voltage and frequency dependent. This paper demonstrates the strucyure of a proposed macro model, implemented voltage and frequency dependency, and physical explanation of these phenomena. Finally, the comparison of measured data vs. simulation is presented in order to confirm the model validity.

Název v anglickém jazyce

An Accurate DC and RF Modeling of Nonlinear Spiral Divider in High Voltage MOSFET Transistor

Popis výsledku anglicky

This paper presents an accurate DC and RF modeling of nonlinear spiral high resistance polysilicon divider. The spiral divider is a sensing part of the high voltage start-up MOSFET transistor operating up to 700 V. The strong electric field in low dopeddrain drift area located under the low doped polysilicon spiral divider results in parasitic effects that have a significant influence on DC and RF device characteristics and makes divider ratio voltage and frequency dependent. This paper demonstrates the strucyure of a proposed macro model, implemented voltage and frequency dependency, and physical explanation of these phenomena. Finally, the comparison of measured data vs. simulation is presented in order to confirm the model validity.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology

ISBN

978-1-4673-2475-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

1-3

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Piscataway

Místo konání akce

Xi'an

Datum konání akce

29. 10. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—