Enhanced Model of Nonlinear Spiral High Voltage Divider
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00228161" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00228161 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/15:PU116764
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.13164/re.2015.0130" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.13164/re.2015.0130</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.13164/re.2015.0130" target="_blank" >10.13164/re.2015.0130</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Enhanced Model of Nonlinear Spiral High Voltage Divider
Popis výsledku v původním jazyce
This paper deals with the enhanced accurate DC and RF model of nonlinear spiral polysilicon voltage divider. The high resistance polysilicon divider is a sensing part of the high voltage start-up MOSFET transistor that can operate up to 700 V. This paperpresents the structure of a proposed model, implemented voltage, frequency and temperature dependency, and scalability. A special attention is paid to the ability of the created model to cover the mismatch and influence of a variation of process parameters on the device characteristics. Finally, the comparison of measured data vs. simulation is presented in order to confirm the model validity and a typical application is demonstrated.
Název v anglickém jazyce
Enhanced Model of Nonlinear Spiral High Voltage Divider
Popis výsledku anglicky
This paper deals with the enhanced accurate DC and RF model of nonlinear spiral polysilicon voltage divider. The high resistance polysilicon divider is a sensing part of the high voltage start-up MOSFET transistor that can operate up to 700 V. This paperpresents the structure of a proposed model, implemented voltage, frequency and temperature dependency, and scalability. A special attention is paid to the ability of the created model to cover the mismatch and influence of a variation of process parameters on the device characteristics. Finally, the comparison of measured data vs. simulation is presented in order to confirm the model validity and a typical application is demonstrated.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Radioengineering
ISSN
1210-2512
e-ISSN
—
Svazek periodika
24
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
130-136
Kód UT WoS článku
000353174400018
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84928382942