Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Investigation of the ion sputtering process of the (SiC)1-x(AlN)x ceramic target

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU99134" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU99134 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Investigation of the ion sputtering process of the (SiC)1-x(AlN)x ceramic target

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper describes the theoretical analysis of ion sputtering of multicomponent targets on the basis of (SiC)1-x(AlN)x. The features of ion sputtering are studied.They are connected with consideration necessity of sputtering ratio of multicomponent materials and it changes with the increasing of ion influence dose. Moreover, the effect of low metal concentrations in silicon carbide on th sputtering velocity and layer formation is also taken into account.

  • Název v anglickém jazyce

    Investigation of the ion sputtering process of the (SiC)1-x(AlN)x ceramic target

  • Popis výsledku anglicky

    This paper describes the theoretical analysis of ion sputtering of multicomponent targets on the basis of (SiC)1-x(AlN)x. The features of ion sputtering are studied.They are connected with consideration necessity of sputtering ratio of multicomponent materials and it changes with the increasing of ion influence dose. Moreover, the effect of low metal concentrations in silicon carbide on th sputtering velocity and layer formation is also taken into account.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    IMAPS CS International Conference. Electronic Devices and Systems. EDS'12. Proceedings.

  • ISBN

    978-80-214-4539-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    49-53

  • Název nakladatele

    Vysoke uceni technicke v Brne

  • Místo vydání

    LITERA, Tabor 43a, 61200 Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    28. 6. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku