Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU103648" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU103648 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications
Popis výsledku v původním jazyce
This work aims to determine the suitability of use of low-temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick film technology in applications with semiconductors based on SiC and GaN, that have high operating temperature. The paper is mainly focused on the behaviour and reliability of wire-bonds, which is used for connection of the above-mentioned semiconducting devices with a circuit or a package. A test sample was designed for this purpose, which was subjected to thermal load. Subsequently, changes in thebonds resistivity are studied, together with their strength and any defects caused by the thermal load. Other properties, such as termomechanical stress of the material for different temperature profiles were simulated in the ANSYS software.
Název v anglickém jazyce
Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications
Popis výsledku anglicky
This work aims to determine the suitability of use of low-temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick film technology in applications with semiconductors based on SiC and GaN, that have high operating temperature. The paper is mainly focused on the behaviour and reliability of wire-bonds, which is used for connection of the above-mentioned semiconducting devices with a circuit or a package. A test sample was designed for this purpose, which was subjected to thermal load. Subsequently, changes in thebonds resistivity are studied, together with their strength and any defects caused by the thermal load. Other properties, such as termomechanical stress of the material for different temperature profiles were simulated in the ANSYS software.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Electronic Devices and Systems - IMAPS CS International Conference 2013
ISBN
978-80-214-4754-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
38-43
Název nakladatele
VUT
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
26. 6. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—