Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU103648" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU103648 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work aims to determine the suitability of use of low-temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick film technology in applications with semiconductors based on SiC and GaN, that have high operating temperature. The paper is mainly focused on the behaviour and reliability of wire-bonds, which is used for connection of the above-mentioned semiconducting devices with a circuit or a package. A test sample was designed for this purpose, which was subjected to thermal load. Subsequently, changes in thebonds resistivity are studied, together with their strength and any defects caused by the thermal load. Other properties, such as termomechanical stress of the material for different temperature profiles were simulated in the ANSYS software.

  • Název v anglickém jazyce

    Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications

  • Popis výsledku anglicky

    This work aims to determine the suitability of use of low-temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick film technology in applications with semiconductors based on SiC and GaN, that have high operating temperature. The paper is mainly focused on the behaviour and reliability of wire-bonds, which is used for connection of the above-mentioned semiconducting devices with a circuit or a package. A test sample was designed for this purpose, which was subjected to thermal load. Subsequently, changes in thebonds resistivity are studied, together with their strength and any defects caused by the thermal load. Other properties, such as termomechanical stress of the material for different temperature profiles were simulated in the ANSYS software.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Electronic Devices and Systems - IMAPS CS International Conference 2013

  • ISBN

    978-80-214-4754-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    38-43

  • Název nakladatele

    VUT

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    26. 6. 2013

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku