"Effect of High Operating Temperature on Electrical Quantities of CdTe Radiation Detectors

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU105018" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU105018 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
"Effect of High Operating Temperature on Electrical Quantities of CdTe Radiation Detectors
Popis výsledku v původním jazyce
Analysis electrical properties change of a semiconductor radiation detector, based on Cadmium-Telluride material has been carried out. The detector was exposed to temperature 100C for time period of 24 hours. Heat stress caused an increase of leakage currents by two orders. New defect energy levels caused difference in detector current transit, typical for the polarization effect. The noise spectral density of the detector after thermal stressing increases with the power of 6.81, which is significantlyhigher value than 2.70, measured before thermal stressing.
Název v anglickém jazyce
"Effect of High Operating Temperature on Electrical Quantities of CdTe Radiation Detectors
Popis výsledku anglicky
Analysis electrical properties change of a semiconductor radiation detector, based on Cadmium-Telluride material has been carried out. The detector was exposed to temperature 100 C for time period of 24 hours. Heat stress caused an increase of leakage currents by two orders. New defect energy levels caused difference in detector current transit, typical for the polarization effect. The noise spectral density of the detector after thermal stressing increases with the power of 6.81, which is significantlyhigher value than 2.70, measured before thermal stressing.

Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů (SIX)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proc. of the Second Intl. Conf. on Advances in Electronic Devices and Circuits
ISBN
978-981-07-6261-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
60-63
Název nakladatele
Institute of Research Engineers and Doctors
Místo vydání
Kuala Lumpur, Malaisie
Místo konání akce
Kuala Lumpur
Datum konání akce
3. 5. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)