Effect of High Operating Temperature on Electrcal Quantities of CdTe Radiation Detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU105406" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU105406 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Effect of High Operating Temperature on Electrcal Quantities of CdTe Radiation Detectors

Popis výsledku v původním jazyce

Analysis electrical properties change of a semiconductor radiation detector, based on Cadmium-Telluride material has been carried out. The detector was exposed to temperature 100C for time period of 24 hours. Heat stress caused an increase of leakage currents by two orders. New defect energy levels caused difference in detector current transit, typical for the polarization effect. The noise spectral density of the detector after thermal stressing increases with the power of 6.81, which is significantlyhigher value than 2.70, measured before thermal stressing.

Název v anglickém jazyce

Effect of High Operating Temperature on Electrcal Quantities of CdTe Radiation Detectors

Popis výsledku anglicky

Analysis electrical properties change of a semiconductor radiation detector, based on Cadmium-Telluride material has been carried out. The detector was exposed to temperature 100 C for time period of 24 hours. Heat stress caused an increase of leakage currents by two orders. New defect energy levels caused difference in detector current transit, typical for the polarization effect. The noise spectral density of the detector after thermal stressing increases with the power of 6.81, which is significantlyhigher value than 2.70, measured before thermal stressing.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů (SIX)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

International Journal of Advancements in Electronics and Electrical Engineering

ISSN

2319-7498

e-ISSN

—

Svazek periodika

3

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

60-63

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—