Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Analysis of luminescence radiation interact by silicon defects

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU105048" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU105048 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Analysis of luminescence radiation interact by silicon defects

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Luminescence diagnostic methods of solar cells have still significant diagnostic potential. According to the excitation method of luminescence radiation from silicon solar cells we talk about electroluminescence or photoluminescence methods. Polarizationspectroscopy of defects in solar cells may be used to better characterization of solar cells. We used the existing electroluminescence technology and extend it about known polarization spectroscopy to yield the polarized luminescence light by defect insolar cells structure (in wavelengths area with peak about 1100 nm).

  • Název v anglickém jazyce

    Analysis of luminescence radiation interact by silicon defects

  • Popis výsledku anglicky

    Luminescence diagnostic methods of solar cells have still significant diagnostic potential. According to the excitation method of luminescence radiation from silicon solar cells we talk about electroluminescence or photoluminescence methods. Polarizationspectroscopy of defects in solar cells may be used to better characterization of solar cells. We used the existing electroluminescence technology and extend it about known polarization spectroscopy to yield the polarized luminescence light by defect insolar cells structure (in wavelengths area with peak about 1100 nm).

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Advanced Batteries, Accumulators and Fuel Cells [ABAF 14th]

  • ISBN

    978-80-214-4767-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    124-126

  • Název nakladatele

    VUT v Brně

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    1. 9. 2013

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku