Activation energy of traps in GaN HFETs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU106798" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU106798 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Activation energy of traps in GaN HFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Low frequency noise characteristics of GaN/AlGaN HFET structures were measured in wide temperature range and activation energy of traps were determined by several methods.
Název v anglickém jazyce
Activation energy of traps in GaN HFETs
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise characteristics of GaN/AlGaN HFET structures were measured in wide temperature range and activation energy of traps were determined by several methods.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 22nd International Conference on Noise and Fluctuations ICNF 2013, IEEE Catalog Number: CFP1392N-POD
ISBN
978-1-4799-0668-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
114-117
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Montpellier
Místo konání akce
Montpellier, France
Datum konání akce
24. 6. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—