Quality Assessment of GaAs Laser Diodes with InAs quantum dots layer by Low-Frequency Noise Measurements

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APU109121" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PU109121 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MIEL.2014.6842161" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/MIEL.2014.6842161</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MIEL.2014.6842161" target="_blank" >10.1109/MIEL.2014.6842161</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Quality Assessment of GaAs Laser Diodes with InAs quantum dots layer by Low-Frequency Noise Measurements
Popis výsledku v původním jazyce
This paper deals with comparisons of noise spectroscopy and I-V characteristic of semiconductor lasers diodes GaAs with InAs quantum dots layer. We studied two groups with different technologies (A and B). Each group had 4 samples. The samples were quality screened using noise analysis. From the measurement results it follows that the noise spectral density related to defects is of 1/f or and can by use as a quality indicator.
Název v anglickém jazyce
Quality Assessment of GaAs Laser Diodes with InAs quantum dots layer by Low-Frequency Noise Measurements
Popis výsledku anglicky
This paper deals with comparisons of noise spectroscopy and I-V characteristic of semiconductor lasers diodes GaAs with InAs quantum dots layer. We studied two groups with different technologies (A and B). Each group had 4 samples. The samples were quality screened using noise analysis. From the measurement results it follows that the noise spectral density related to defects is of 1/f or and can by use as a quality indicator.

Projekt
<a href="/cs/project/LO1210" target="_blank" >LO1210: Energie v podmínkách udržitelného rozvoje (EN-PUR)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM
ISBN
978-1-4799-5297-7
ISSN
2159-1660
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
349-352
Název nakladatele
IEEE Serbie
Místo vydání
Belgrade, Serbie
Místo konání akce
Niš
Datum konání akce
13. 5. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)