Voltage-Mode All-Pass Filter Design Using Simple CMOS Transconductor: Non-Ideal Case Study

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APU109957" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PU109957 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TSP.2015.7296349" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/TSP.2015.7296349</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TSP.2015.7296349" target="_blank" >10.1109/TSP.2015.7296349</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Voltage-Mode All-Pass Filter Design Using Simple CMOS Transconductor: Non-Ideal Case Study

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper, basic transconductor composed of only p-channel and n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and its utilization for low-voltage first-order voltage-mode (VM) all-pass filter (APF) design is studied. For initial filter design a general structure employing single transconductor and two admittances was proposed. By choosing passive components and considering real behavior of MOSFETs, i.e. parasitic capacitances and output resistances, six specific cases for VM APF design are discussed. SPICE simulations using IBM 0.13 mm level-7 SIGE013 CMOS process BSIM3v3.1 parameters and with +-0.75 V supply voltages are included to support the theoretical results. The selected solution was designed at pole frequency of 219 MHz and consumes 480 uW power.

Název v anglickém jazyce

Voltage-Mode All-Pass Filter Design Using Simple CMOS Transconductor: Non-Ideal Case Study

Popis výsledku anglicky

In this paper, basic transconductor composed of only p-channel and n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and its utilization for low-voltage first-order voltage-mode (VM) all-pass filter (APF) design is studied. For initial filter design a general structure employing single transconductor and two admittances was proposed. By choosing passive components and considering real behavior of MOSFETs, i.e. parasitic capacitances and output resistances, six specific cases for VM APF design are discussed. SPICE simulations using IBM 0.13 mm level-7 SIGE013 CMOS process BSIM3v3.1 parameters and with +-0.75 V supply voltages are included to support the theoretical results. The selected solution was designed at pole frequency of 219 MHz and consumes 480 uW power.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů (SIX)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 2015 38th International Conference on Telecommunications and Signal Processing (TSP)

ISBN

978-1-4799-8497-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

677-681

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Berlin, Germany

Místo konání akce

Berlín

Datum konání akce

1. 7. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000375231000240