Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Automated test equipment for evaluation of radiation induced changes of PMOS and RADFET transistors I-V curves including their temperature coefficients

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APR28477" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PR28477 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Automated test equipment for evaluation of radiation induced changes of PMOS and RADFET transistors I-V curves including their temperature coefficients

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A fully automated test equipment (ATE) for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors I-V curves and their temperature coefficients has been developed and built. The ATE is designed to provide any combination of bias conditions and temperature profile during the irradiation. Three successful research experiments have been performed and the commercial applications have been negotiated.

  • Název v anglickém jazyce

    Automated test equipment for evaluation of radiation induced changes of PMOS and RADFET transistors I-V curves including their temperature coefficients

  • Popis výsledku anglicky

    A fully automated test equipment (ATE) for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors I-V curves and their temperature coefficients has been developed and built. The ATE is designed to provide any combination of bias conditions and temperature profile during the irradiation. Three successful research experiments have been performed and the commercial applications have been negotiated.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    TID/TC ATE 1

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    Maximalní celková dávka (Co60) : 1Mrad, Rozsah měření napětí kanálu: 0 až 200V, měření/řízení proudu 0 až 100 mA,teplotní rozsah: -40 až 120 °C, reulace teploty 0,01 °C

  • Ekonomické parametry

    100000 Kč

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    00216305

  • Název vlastníka

    Ústav mikroelektroniky

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem