Microscale localization and detection of defects in crystalline silicon solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU115460" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU115460 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.dgao-proceedings.de" target="_blank" >http://www.dgao-proceedings.de</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microscale localization and detection of defects in crystalline silicon solar cells
Popis výsledku v původním jazyce
Silicon remains the only material that is well-researched in both bulk and thin-film configurations. Monocrystalline silicon solar cells are the photovoltaic devices with highest efficiency, but they content a variety of tiny local defects decreasing theefficiency. So the novel method containing electric and optical measurement is presented.
Název v anglickém jazyce
Microscale localization and detection of defects in crystalline silicon solar cells
Popis výsledku anglicky
Silicon remains the only material that is well-researched in both bulk and thin-film configurations. Monocrystalline silicon solar cells are the photovoltaic devices with highest efficiency, but they content a variety of tiny local defects decreasing theefficiency. So the novel method containing electric and optical measurement is presented.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/ED1.1.00%2F02.0068" target="_blank" >ED1.1.00/02.0068: CEITEC - central european institute of technology</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)