Generalized Rule of Homothety of Ideal Memristors and Their Siblings

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU116208" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU116208 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60162694:G43__/15:00531655

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ECCTD.2015.7300084" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ECCTD.2015.7300084</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ECCTD.2015.7300084" target="_blank" >10.1109/ECCTD.2015.7300084</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Generalized Rule of Homothety of Ideal Memristors and Their Siblings

Popis výsledku v původním jazyce

The pinched hysteresis loop area increasing with the square of the frequency of driving harmonic signal on the assumption of constant charge delivered within the half-period belongs to the less known fingerprints of ideal memristor. The paper proves that this fingerprint holds not only for the harmonic excitation: the v-i characteristic of a memristor driven by n-times accelerated and simultaneously n-times amplified signal of arbitrary waveform is a homothetic entity with respect to the original characteristic, with the homothetic center at the v-i origin and with the homothety ratio n. This rule holds for an arbitrary ideal memristor but not for an arbitrary general memristive element. Breaking this rule indicates reliably that the element analyzed is not an ideal memristor.

Název v anglickém jazyce

Generalized Rule of Homothety of Ideal Memristors and Their Siblings

Popis výsledku anglicky

The pinched hysteresis loop area increasing with the square of the frequency of driving harmonic signal on the assumption of constant charge delivered within the half-period belongs to the less known fingerprints of ideal memristor. The paper proves that this fingerprint holds not only for the harmonic excitation: the v-i characteristic of a memristor driven by n-times accelerated and simultaneously n-times amplified signal of arbitrary waveform is a homothetic entity with respect to the original characteristic, with the homothetic center at the v-i origin and with the homothety ratio n. This rule holds for an arbitrary ideal memristor but not for an arbitrary general memristive element. Breaking this rule indicates reliably that the element analyzed is not an ideal memristor.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2015 European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD)

ISBN

9781479998777

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Trondheim, Norway

Místo konání akce

Trondheim

Datum konání akce

24. 8. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000380498200066