In-situ measurement of total ionising dose induced changes in threshold voltage and temperature coefficients of RADFETs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU120163" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU120163 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
In-situ measurement of total ionising dose induced changes in threshold voltage and temperature coefficients of RADFETs
Popis výsledku v původním jazyce
This work presents results of a total ionising dose experiment, during which p-channel RADFETs were irradiated and measured under different gate bias conditions using an in-situ technique. The measurement system allowed threshold voltage shifts and temperature sensitivity of the shift to be measured during irradiation to 60 krad(Si) and the subsequent 55 day period of annealing.
Název v anglickém jazyce
In-situ measurement of total ionising dose induced changes in threshold voltage and temperature coefficients of RADFETs
Popis výsledku anglicky
This work presents results of a total ionising dose experiment, during which p-channel RADFETs were irradiated and measured under different gate bias conditions using an in-situ technique. The measurement system allowed threshold voltage shifts and temperature sensitivity of the shift to be measured during irradiation to 60 krad(Si) and the subsequent 55 day period of annealing.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Radiation Effects Data Workshop (REDW), 2016 IEEE
ISBN
978-1-4673-2730-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Portland, US
Místo konání akce
Portland
Datum konání akce
11. 7. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—