Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The Simplest Memristor in the World

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU120411" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU120411 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60162694:G43__/16:00533397

  • Výsledek na webu

    <a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7538932/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7538932/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISCAS.2016.7538932" target="_blank" >10.1109/ISCAS.2016.7538932</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The Simplest Memristor in the World

  • Popis výsledku v původním jazyce

    It is well known that thermally dependent resistive two-terminal devices formally conform to the definition of memristive systems. They can be studied as generic memristors on the assumption that their temperature is regarded as a state variable. It is shown in the paper that, due to the Joule dissipation, the parasitic memristance accompanies an arbitrary resistive two-terminal device, which is manifested via the v-i pinched hysteresis loop. Under the common conditions, such hysteresis is not easy to observe. However, this feature can be evident if the varying current induces large temperature variations. The paper analyses the properties of the simplest memristor – a piece of wire. The measurements on a fast current fuse just before its blowing clearly demonstrate the typical non-crossing type pinched hysteresis loop.

  • Název v anglickém jazyce

    The Simplest Memristor in the World

  • Popis výsledku anglicky

    It is well known that thermally dependent resistive two-terminal devices formally conform to the definition of memristive systems. They can be studied as generic memristors on the assumption that their temperature is regarded as a state variable. It is shown in the paper that, due to the Joule dissipation, the parasitic memristance accompanies an arbitrary resistive two-terminal device, which is manifested via the v-i pinched hysteresis loop. Under the common conditions, such hysteresis is not easy to observe. However, this feature can be evident if the varying current induces large temperature variations. The paper analyses the properties of the simplest memristor – a piece of wire. The measurements on a fast current fuse just before its blowing clearly demonstrate the typical non-crossing type pinched hysteresis loop.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proc. of 2016 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)

  • ISBN

    978-1-4799-5340-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1854-1857

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    USA

  • Místo konání akce

    Montreal

  • Datum konání akce

    22. 5. 2016

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000390094701251