The Simplest Memristor in the World
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU120411" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU120411 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60162694:G43__/16:00533397
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7538932/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7538932/</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISCAS.2016.7538932" target="_blank" >10.1109/ISCAS.2016.7538932</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Simplest Memristor in the World
Popis výsledku v původním jazyce
It is well known that thermally dependent resistive two-terminal devices formally conform to the definition of memristive systems. They can be studied as generic memristors on the assumption that their temperature is regarded as a state variable. It is shown in the paper that, due to the Joule dissipation, the parasitic memristance accompanies an arbitrary resistive two-terminal device, which is manifested via the v-i pinched hysteresis loop. Under the common conditions, such hysteresis is not easy to observe. However, this feature can be evident if the varying current induces large temperature variations. The paper analyses the properties of the simplest memristor – a piece of wire. The measurements on a fast current fuse just before its blowing clearly demonstrate the typical non-crossing type pinched hysteresis loop.
Název v anglickém jazyce
The Simplest Memristor in the World
Popis výsledku anglicky
It is well known that thermally dependent resistive two-terminal devices formally conform to the definition of memristive systems. They can be studied as generic memristors on the assumption that their temperature is regarded as a state variable. It is shown in the paper that, due to the Joule dissipation, the parasitic memristance accompanies an arbitrary resistive two-terminal device, which is manifested via the v-i pinched hysteresis loop. Under the common conditions, such hysteresis is not easy to observe. However, this feature can be evident if the varying current induces large temperature variations. The paper analyses the properties of the simplest memristor – a piece of wire. The measurements on a fast current fuse just before its blowing clearly demonstrate the typical non-crossing type pinched hysteresis loop.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proc. of 2016 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)
ISBN
978-1-4799-5340-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1854-1857
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
USA
Místo konání akce
Montreal
Datum konání akce
22. 5. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000390094701251