Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

About v-i Pinched Hysteresis of Some Non-Memristive Systems

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU129086" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU129086 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60162694:G43__/18:00535530

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.hindawi.com/journals/mpe/2018/1747865/" target="_blank" >https://www.hindawi.com/journals/mpe/2018/1747865/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1155/2018/1747865" target="_blank" >10.1155/2018/1747865</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    About v-i Pinched Hysteresis of Some Non-Memristive Systems

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A special subset of two-terminal elements providing pinched hysteresis loops in the voltage-current plane with the lobe area increasing with the frequency is analysed. These devices are identified as non-memristive systems and the sufficient condition for their hysteresis loop to be pinched at the origin is derived. It turns out that the analysed behaviour can be observed only for just one concrete initial state of the device. This knowledge is conclusive for understanding why such devices cannot be regarded as memristors.

  • Název v anglickém jazyce

    About v-i Pinched Hysteresis of Some Non-Memristive Systems

  • Popis výsledku anglicky

    A special subset of two-terminal elements providing pinched hysteresis loops in the voltage-current plane with the lobe area increasing with the frequency is analysed. These devices are identified as non-memristive systems and the sufficient condition for their hysteresis loop to be pinched at the origin is derived. It turns out that the analysed behaviour can be observed only for just one concrete initial state of the device. This knowledge is conclusive for understanding why such devices cannot be regarded as memristors.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA18-21608S" target="_blank" >GA18-21608S: Memristory a další nekonvenční obvodové prvky</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    MATHEMATICAL PROBLEMS IN ENGINEERING

  • ISSN

    1024-123X

  • e-ISSN

    1563-5147

  • Svazek periodika

    2018

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    1-10

  • Kód UT WoS článku

    000446692200001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85056521862