Novel Grounded Capacitor-Based Resistorless Tunable Floating/Grounded Inductance Simulator

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU120739" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU120739 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2016.7870125" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2016.7870125</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2016.7870125" target="_blank" >10.1109/MWSCAS.2016.7870125</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Novel Grounded Capacitor-Based Resistorless Tunable Floating/Grounded Inductance Simulator

Popis výsledku v původním jazyce

This paper deals with resistorless lossless floating/ grounded inductance simulator and its application to third-order voltage-mode elliptic low-pass and band-pass filters providing high linearity and wide bandwidth in high frequencies. The inductance simulator circuit consists of only one grounded capacitor, single dual-output current follower (CF±), and one high-performance and versatile active element so-called voltage differencing inverting buffered amplifier (VDIBA), employing ten and six transistors, respectively. The resulting equivalent inductance value of the proposed simulator can be electronically adjusted via change of input intrinsic resistance of CF± and/or by means of bias current of the internal transconductance of the VDIBA. Theoretical results are verified by SPICE simulations using TSMC 0.18 μm level-7 LO EPI SCN018 CMOS process parameters with ±0.9 V supply voltages.

Název v anglickém jazyce

Novel Grounded Capacitor-Based Resistorless Tunable Floating/Grounded Inductance Simulator

Popis výsledku anglicky

This paper deals with resistorless lossless floating/ grounded inductance simulator and its application to third-order voltage-mode elliptic low-pass and band-pass filters providing high linearity and wide bandwidth in high frequencies. The inductance simulator circuit consists of only one grounded capacitor, single dual-output current follower (CF±), and one high-performance and versatile active element so-called voltage differencing inverting buffered amplifier (VDIBA), employing ten and six transistors, respectively. The resulting equivalent inductance value of the proposed simulator can be electronically adjusted via change of input intrinsic resistance of CF± and/or by means of bias current of the internal transconductance of the VDIBA. Theoretical results are verified by SPICE simulations using TSMC 0.18 μm level-7 LO EPI SCN018 CMOS process parameters with ±0.9 V supply voltages.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 2016 IEEE 59th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)

ISBN

978-1-5090-0916-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

747-750

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Abu Dhabi, United Arab Emirates

Místo konání akce

Abu Dhabi

Datum konání akce

16. 10. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000404343800186