Electroluminescence and Thermal Imaging of Defects in Thin-film Chalcopyrite Solar Cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU123506" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU123506 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.utee.feec.vutbr.cz/eeict/2017/EEICT%202017-sborník-komplet.pdf" target="_blank" >http://www.utee.feec.vutbr.cz/eeict/2017/EEICT%202017-sborník-komplet.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electroluminescence and Thermal Imaging of Defects in Thin-film Chalcopyrite Solar Cells

Popis výsledku v původním jazyce

Thin-film chalcopyrite based Cu(In,Ga)Se2 solar cells with a metal wrap through interconnection were investigated by non-destructive methods in our research. The primary focus of this investigationwasadetectionandalocalizationofmicrostructuraldefectsinthistypeofCu(In,Ga)Se2 solarcells. Acombinationofavisibleandnearinfraredelectroluminescencewithalock-inthermography was used for these purposes. Mainly the electroluminescence was a very sensitive tool for an indication of pre-breakdown sites influenced by a trap-assisted tunneling or stress-induced leakage currents. A strong correlation between electroluminescence maps and lock-in thermograms was obtained after a local breakdown accompanied by a creation of permanent defect.

Název v anglickém jazyce

Electroluminescence and Thermal Imaging of Defects in Thin-film Chalcopyrite Solar Cells

Popis výsledku anglicky

Thin-film chalcopyrite based Cu(In,Ga)Se2 solar cells with a metal wrap through interconnection were investigated by non-destructive methods in our research. The primary focus of this investigationwasadetectionandalocalizationofmicrostructuraldefectsinthistypeofCu(In,Ga)Se2 solarcells. Acombinationofavisibleandnearinfraredelectroluminescencewithalock-inthermography was used for these purposes. Mainly the electroluminescence was a very sensitive tool for an indication of pre-breakdown sites influenced by a trap-assisted tunneling or stress-induced leakage currents. A strong correlation between electroluminescence maps and lock-in thermograms was obtained after a local breakdown accompanied by a creation of permanent defect.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 23rd Conference STUDENT EEICT 2017

ISBN

978-80-214-5496-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

694

Strana od-do

690-694

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

27. 4. 2017

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—