Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Measurement of Power Transistors Dynamic Parameters

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU124765" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU124765 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-65960-2_70" target="_blank" >https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-65960-2_70</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-65960-2_70" target="_blank" >10.1007/978-3-319-65960-2_70</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Measurement of Power Transistors Dynamic Parameters

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This article deals with analysis of switching processes of power transistor as well as with description of performed measurement methods of these dynamic processes. The results are demonstrated on power IGBT transistor, nevertheless the measurement methods are valid for all power devices in general. Due to the fact, that the extremely dynamic and power processes have to be analyzed, then the special measuring laboratory workplace (MLW) was developed for proper oscillographic measurement of these processes. Further, the current sensor with ultra-wide bandwidth has to be developed. Description of the MLW is presented in this paper together with its development process. This paper gives the complex methodology for analysis of power devices switching processes.

  • Název v anglickém jazyce

    Measurement of Power Transistors Dynamic Parameters

  • Popis výsledku anglicky

    This article deals with analysis of switching processes of power transistor as well as with description of performed measurement methods of these dynamic processes. The results are demonstrated on power IGBT transistor, nevertheless the measurement methods are valid for all power devices in general. Due to the fact, that the extremely dynamic and power processes have to be analyzed, then the special measuring laboratory workplace (MLW) was developed for proper oscillographic measurement of these processes. Further, the current sensor with ultra-wide bandwidth has to be developed. Description of the MLW is presented in this paper together with its development process. This paper gives the complex methodology for analysis of power devices switching processes.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1210" target="_blank" >LO1210: Energie v podmínkách udržitelného rozvoje (EN-PUR)</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    MECHATRONICS 2017

  • ISBN

    978-3-319-65959-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    571-577

  • Název nakladatele

    Springer

  • Místo vydání

    neuveden

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    6. 9. 2017

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000554435500070