Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100568" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU100568 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.epe-conference.eu" target="_blank" >http://www.epe-conference.eu</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie

Popis výsledku v původním jazyce

SiC a GaN polovodičové technologie jsou nejslibnější budoucí technologie spínacích součástek v oblasti výkonové elektroniky. Velikost intenzity elektrického pole při průrazu je až desetinásobně vyšší než u klasických Si technologií. První existující komerční výkonové polovodiče již dosahují závěrných napětí až 1700 V. Ve vývoji jsou již polovodiče se závěrným napětím až 10 kV. Díky vysoké hodnotě závěrného napětí lze zkrátit substrátovou vrstvu a docílit tak malého odporu kanálu. Odpor kanálu navíc nejméně oste s teplotou. Nové polovodiče jsou schopné pracovat s teplotou přechodu přes 300 C. Takto extrémně vysoké teploty dovolují nižší hmotnosti a objemy chladících soustav a tím i výraznou úsporu výrobních nákladů. Vysoké hodnoty elektronové pohyblivostí umožňují spínací frekvence daleko za 100 kHz i při vysokém napětí (>1 kV) a nízké přepínací ztráty. Z několika měření elektromagnetické komp

Název v anglickém jazyce

Utilization SiC and GaN technology in modern systems for energy conversion

Popis výsledku anglicky

Paper gives closer prospection of new technologies of switching devices used in power electronic and describes their expected benefits in power conversion systems (motors, converters, electric sources, smart-grid systems). Semiconductor technologies asedon Silicon Carbide ?SiC? or Gallium Nitride are new technologies significantly improving static and dynamic parameters of the switching devices. SiC transistors and their behavior is very similar to conventional MOSFET Si transistor. But in many parameters re superior in comparison to Si transistors and improve than the efficiency of the power devices and the whole energy systems. Huge benefit is their breakdown voltage shifted up to 1200V and more in the near future. This allows their use in 3 phase supply stems which make up majority of the realized industrial application. Short switching and recovery times and allow shift switching frequency of the converters over 100kHz. High switching frequencies generally reduce weight and volume

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 13th Internationnal Scientific Conference Electric Power Engineering 2012, Volume 1

ISBN

978-80-214-4514-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1129-1133

Název nakladatele

Brno University of Technology

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

23. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—