Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Benefits of Using the New 1200V Si IGBT and SiC MOSFET Modules for E-Bus Application

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F22%3A00358040" target="_blank" >RIV/68407700:21230/22:00358040 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.30420/565822271" target="_blank" >https://doi.org/10.30420/565822271</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.30420/565822271" target="_blank" >10.30420/565822271</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Benefits of Using the New 1200V Si IGBT and SiC MOSFET Modules for E-Bus Application

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The submitted paper presents the results of analysis of current requirements of propulsion inverters for E – Bus powered by batteries up to 750 V DC, comparison of performance of modern 1200V V Si IGBT and SiC MOSFET modules in half bridge topology and evaluation of their benefits when used in main propulsion inverters. Using simulations of power losses and temperatures, it investigates the performance of both types of power modules depending on the switching frequency. The advantage of using SiC modules in a traction converter operating with an optimal switching frequency to achieve maximum power conversion efficiency of the entire traction drive is discussed here.

  • Název v anglickém jazyce

    Benefits of Using the New 1200V Si IGBT and SiC MOSFET Modules for E-Bus Application

  • Popis výsledku anglicky

    The submitted paper presents the results of analysis of current requirements of propulsion inverters for E – Bus powered by batteries up to 750 V DC, comparison of performance of modern 1200V V Si IGBT and SiC MOSFET modules in half bridge topology and evaluation of their benefits when used in main propulsion inverters. Using simulations of power losses and temperatures, it investigates the performance of both types of power modules depending on the switching frequency. The advantage of using SiC modules in a traction converter operating with an optimal switching frequency to achieve maximum power conversion efficiency of the entire traction drive is discussed here.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management

  • ISBN

    978-3-8007-5822-7

  • ISSN

    2191-3358

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1962-1967

  • Název nakladatele

    VDE Verlag

  • Místo vydání

    Berlin

  • Místo konání akce

    Nuremberg

  • Datum konání akce

    10. 5. 2022

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku