Realization of 1200 V, 50 A SiC MOSFET Inverter for Permanent Magnet Synchronous Motor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F15%3A00229993" target="_blank" >RIV/68407700:21220/15:00229993 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://control.fs.cvut.cz/sites/default/files/Trendy2015/Sbornik_komplet.pdf" target="_blank" >http://control.fs.cvut.cz/sites/default/files/Trendy2015/Sbornik_komplet.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Realization of 1200 V, 50 A SiC MOSFET Inverter for Permanent Magnet Synchronous Motor

Popis výsledku v původním jazyce

This paper investigates CCS050M12CM2 1200V, 50A module that functions as the SiC inverter applied to a permanent magnet synchronous motor (PMSM). First the comparison between SiC and conventional IGBT inverter was introduced. It showed that SiC converter has smaller static and switching losses. Then the experimental results of SiC converter designed were presented. The inverter with the conventional design (as IGBT) couldn't function at nominal voltage and high switching frequency due to voltage ringing caused by large parasitic inductances. The improved version of the inverter was designed in order to reduce the parasitic inductances. Finally the inverter could function under the nominal voltage 560 V and under high frequencies 200-500kHz. The voltage overshoot was also reduced by increasing slightly the value of the gate resistance slowing down the switching speed.

Název v anglickém jazyce

Realization of 1200 V, 50 A SiC MOSFET Inverter for Permanent Magnet Synchronous Motor

Popis výsledku anglicky

This paper investigates CCS050M12CM2 1200V, 50A module that functions as the SiC inverter applied to a permanent magnet synchronous motor (PMSM). First the comparison between SiC and conventional IGBT inverter was introduced. It showed that SiC converter has smaller static and switching losses. Then the experimental results of SiC converter designed were presented. The inverter with the conventional design (as IGBT) couldn't function at nominal voltage and high switching frequency due to voltage ringing caused by large parasitic inductances. The improved version of the inverter was designed in order to reduce the parasitic inductances. Finally the inverter could function under the nominal voltage 560 V and under high frequencies 200-500kHz. The voltage overshoot was also reduced by increasing slightly the value of the gate resistance slowing down the switching speed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník odborného semináře Nové metody a postupy v oblasti přístrojové techniky, automatického řízení a informatiky 2015

ISBN

978-80-01-05758-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

42-46

Název nakladatele

Ústav přístrojové a řídicí techniky FS ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Roztoky u Křivoklátu

Datum konání akce

25. 5. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—