Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Investigation of SiC 1200 V, 50 A Inverter with Improved Design

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F15%3A00231983" target="_blank" >RIV/68407700:21220/15:00231983 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Investigation of SiC 1200 V, 50 A Inverter with Improved Design

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The experimental results of high frequency SiC MOSFET inverter with the CCS050M12CM2 1200 V, 50 A module applied to a permanent magnet synchronous motor are described in this paper. Two versions of inverter design are compared. The first version of the inverter is designed in the same way as for a traditional IGBT inverter. owever it couldn’t function at nominal voltage due to voltage ringing caused by parasitic inductances. The second version of the SiC inverter was designed in order to reduce the parasitic inductances. The inverter could function at nominal voltage 560 V. The voltage overshoot was also reduced by increasing slightly the value of the gate resistance slowing down the switching speed.

  • Název v anglickém jazyce

    Investigation of SiC 1200 V, 50 A Inverter with Improved Design

  • Popis výsledku anglicky

    The experimental results of high frequency SiC MOSFET inverter with the CCS050M12CM2 1200 V, 50 A module applied to a permanent magnet synchronous motor are described in this paper. Two versions of inverter design are compared. The first version of the inverter is designed in the same way as for a traditional IGBT inverter. owever it couldn’t function at nominal voltage due to voltage ringing caused by parasitic inductances. The second version of the SiC inverter was designed in order to reduce the parasitic inductances. The inverter could function at nominal voltage 560 V. The voltage overshoot was also reduced by increasing slightly the value of the gate resistance slowing down the switching speed.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the Electrical Drives and Power Electronics (EDPE 2015)

  • ISBN

    978-1-4673-9661-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    54-59

  • Název nakladatele

    TU Košice, FEI

  • Místo vydání

    Košice

  • Místo konání akce

    Tatranská Lomnica

  • Datum konání akce

    21. 9. 2015

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku