Influence of Deadtime on Si, SiC and GaN Converters

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F20%3A00343541" target="_blank" >RIV/68407700:21230/20:00343541 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9269208" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9269208</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/EPE51172.2020.9269208" target="_blank" >10.1109/EPE51172.2020.9269208</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of Deadtime on Si, SiC and GaN Converters

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents a comparison of three different transistor technologies Silicon Superjunction (Si SJ), Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) in respect to deadtime setting in a typical halfbridge converter. According to the measured results both new fast switching transistors SiC and GaN needs precise deadtime setting compared to the Si SJ devices. With wrong deadtime settings the converter efficiency drops more rapidly for GaN compared to SiC while the Si SJ device is the least affected by the deadtime length. The optimum deadtime in DC/DC converter can be found by tracking the maximum output voltage for given constant and compensated duty cycle and input voltage.

Název v anglickém jazyce

Influence of Deadtime on Si, SiC and GaN Converters

Popis výsledku anglicky

This paper presents a comparison of three different transistor technologies Silicon Superjunction (Si SJ), Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) in respect to deadtime setting in a typical halfbridge converter. According to the measured results both new fast switching transistors SiC and GaN needs precise deadtime setting compared to the Si SJ devices. With wrong deadtime settings the converter efficiency drops more rapidly for GaN compared to SiC while the Si SJ device is the least affected by the deadtime length. The optimum deadtime in DC/DC converter can be found by tracking the maximum output voltage for given constant and compensated duty cycle and input voltage.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2020 21st International Scientific Conference on Electric Power Engineering (EPE)

ISBN

978-1-7281-9479-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Czechoslovakia Section IEEE

Místo vydání

Prague

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

19. 10. 2020

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—