Comparison of Bi-Directional DC/DC Converter using Si and WBG Devices
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F23%3A00368796" target="_blank" >RIV/68407700:21230/23:00368796 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1109/EDPE58625.2023.10274025" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/EDPE58625.2023.10274025</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/EDPE58625.2023.10274025" target="_blank" >10.1109/EDPE58625.2023.10274025</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Comparison of Bi-Directional DC/DC Converter using Si and WBG Devices
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper, the comparison of efficiency was done by using Si and wide band gap (WBG) material for bi-directional DC/DC converter in buck mode. The simulations were done with LTSPICE software. The Hardware setup was made using silicon and WBG MOSFET’s for DC/DC converter with varying resistive load for the constant output step down voltage. Each converter is designed using all silicon, all SiC and all GaN MOSFET’s for both software and hardware designs.
Název v anglickém jazyce
Comparison of Bi-Directional DC/DC Converter using Si and WBG Devices
Popis výsledku anglicky
In this paper, the comparison of efficiency was done by using Si and wide band gap (WBG) material for bi-directional DC/DC converter in buck mode. The simulations were done with LTSPICE software. The Hardware setup was made using silicon and WBG MOSFET’s for DC/DC converter with varying resistive load for the constant output step down voltage. Each converter is designed using all silicon, all SiC and all GaN MOSFET’s for both software and hardware designs.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2023 International Conference on Electrical Drives and Power Electronics (EDPE)
ISBN
979-8-3503-2275-0
ISSN
2770-7652
e-ISSN
2770-7652
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
—
Název nakladatele
Faculty of Electrical Engineering and Informatics
Místo vydání
Košice
Místo konání akce
Nový Smokovec
Datum konání akce
25. 9. 2023
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—