Hardware Development of DC/DC Converter in Buck Mode

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F22%3A00362735" target="_blank" >RIV/68407700:21230/22:00362735 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://poster.fel.cvut.cz/poster2023/" target="_blank" >https://poster.fel.cvut.cz/poster2023/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hardware Development of DC/DC Converter in Buck Mode

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper, the discussion is based on the SiC MOSFET’s which have the advantageous properties than silicon [1]. SiC MOSFET’s are used for high voltage, high frequency, and high temperature where the gate driving topology for SiC MOSFET’s are too sensitive with parasitic capacitance, package inductance, and PCB power loop inductance [3]. The rate of change of voltage and current i.e., switching transitions will create unwanted oscillation, overshoots and electromagnetic interference which impacts the overall system operation and reliability [4]. To improve the EMI and oscillations, the selective gate resistance Rg should be considered [5]. So, the only solution is to select the appropriate value of gate resistance (Rg) to reduce the EMI and switching oscillations [6]. The discussion of the DC/DC converter in buck mode with two C3M0065090J (SiC MOSFET’s) in a phase leg configuration and their results are presented.

Název v anglickém jazyce

Hardware Development of DC/DC Converter in Buck Mode

Popis výsledku anglicky

In this paper, the discussion is based on the SiC MOSFET’s which have the advantageous properties than silicon [1]. SiC MOSFET’s are used for high voltage, high frequency, and high temperature where the gate driving topology for SiC MOSFET’s are too sensitive with parasitic capacitance, package inductance, and PCB power loop inductance [3]. The rate of change of voltage and current i.e., switching transitions will create unwanted oscillation, overshoots and electromagnetic interference which impacts the overall system operation and reliability [4]. To improve the EMI and oscillations, the selective gate resistance Rg should be considered [5]. So, the only solution is to select the appropriate value of gate resistance (Rg) to reduce the EMI and switching oscillations [6]. The discussion of the DC/DC converter in buck mode with two C3M0065090J (SiC MOSFET’s) in a phase leg configuration and their results are presented.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Student Scientific Conference Poster – 26/2022

ISBN

978-80-01-06992-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

Fakulta elektrotechnická

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

12. 5. 2022

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—