Reduction of Negative Voltage Spike for SiC based MOSFET Circuit

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F24%3A00375720" target="_blank" >RIV/68407700:21230/24:00375720 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://poster.fel.cvut.cz/poster2024/" target="_blank" >https://poster.fel.cvut.cz/poster2024/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Reduction of Negative Voltage Spike for SiC based MOSFET Circuit

Popis výsledku v původním jazyce

In this study, the transil diode and the diode in antiparallel to the gate, which functions as a driver, are used to reduce the negative gate voltage spikes for the SiC based MOSFET half-bridge converter. SiC MOSFETs are capable of operating at high voltages, high frequencies, low on-state resistance, and minimal temperature fluctuations. Because of the high dv/dt of the half-bridge converter, the high-side MOSFET will experience a fast-switching transient that will negatively affect the parasitic components and generate negative voltage spikes on the low-side MOSFET that could damage the switches or overstress the circuit for safe operation. The circuits are simulated at different rise and fall time using the software called SIMPLIS/SIMETRIX.

Název v anglickém jazyce

Reduction of Negative Voltage Spike for SiC based MOSFET Circuit

Popis výsledku anglicky

In this study, the transil diode and the diode in antiparallel to the gate, which functions as a driver, are used to reduce the negative gate voltage spikes for the SiC based MOSFET half-bridge converter. SiC MOSFETs are capable of operating at high voltages, high frequencies, low on-state resistance, and minimal temperature fluctuations. Because of the high dv/dt of the half-bridge converter, the high-side MOSFET will experience a fast-switching transient that will negatively affect the parasitic components and generate negative voltage spikes on the low-side MOSFET that could damage the switches or overstress the circuit for safe operation. The circuits are simulated at different rise and fall time using the software called SIMPLIS/SIMETRIX.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Student Scientific Conference Poster – 28/2024

ISBN

978-80-01-07299-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

165-169

Název nakladatele

Fakulta elektrotechnická

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

23. 5. 2024

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—