Clamping of Negative Voltage Spikes of the SiC based Half-Bridge Circuit

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F23%3A00366264" target="_blank" >RIV/68407700:21230/23:00366264 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://poster.fel.cvut.cz/poster2023/" target="_blank" >https://poster.fel.cvut.cz/poster2023/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Clamping of Negative Voltage Spikes of the SiC based Half-Bridge Circuit

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper, the discussion is based on the reduction of the negative gate voltage spikes for the SiC based MOSFET half-bridge converter using the transil diode and diode in antiparallel to the gate which acts as a driver. SiC MOSFET’s can be able to work for high frequencies, high voltages having low on-state resistance and less temperature changes. In the Half-bridge converter, due to its high dv/dt, there will be fast switching transient for high-side MOSFET which causes the negative impact on the parasitic components and produce the negative voltage spikes on the low-side MOSFET which may cause the damage of switches or over stress the circuit for safe operation. The SiC MOSFET is represented with only parasitic capacitances in the circuit and this circuit is designed by using the software tool called SIMPLIS/SIMETRIX.

Název v anglickém jazyce

Clamping of Negative Voltage Spikes of the SiC based Half-Bridge Circuit

Popis výsledku anglicky

In this paper, the discussion is based on the reduction of the negative gate voltage spikes for the SiC based MOSFET half-bridge converter using the transil diode and diode in antiparallel to the gate which acts as a driver. SiC MOSFET’s can be able to work for high frequencies, high voltages having low on-state resistance and less temperature changes. In the Half-bridge converter, due to its high dv/dt, there will be fast switching transient for high-side MOSFET which causes the negative impact on the parasitic components and produce the negative voltage spikes on the low-side MOSFET which may cause the damage of switches or over stress the circuit for safe operation. The SiC MOSFET is represented with only parasitic capacitances in the circuit and this circuit is designed by using the software tool called SIMPLIS/SIMETRIX.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/FW06010024" target="_blank" >FW06010024: Předbíjecí jednotka pro HCB nebo SSCB jističe</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Student Scientific Conference Poster - 27/2023

ISBN

978-80-01-07140-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

160-163

Název nakladatele

Fakulta elektrotechnická

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

11. 5. 2023

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—