Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APR27108" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PR27108 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky" target="_blank" >http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Budič GD001 zajišťuje galvanické oddělení řídicích obvodů od spínacích prvků. Těmi mohou být tranzistory SiC MOSFET (z perspektivního karbidu křemíku), IGBT nebo klasické Si MOSFET. Výstup budiče je dimenzován na špičkový proud až 4A. Galvanické oddělenínapájecího napětí budiče zajišťuje rezonanční DC/DC měnič malého výkonu. Na rozdíl od komerčně dostupných budičů umožňuje budič GD001 dosažení podstatně vyšších spínacích kmitočů - až 2 MHz. Velmi malá paraziní vazební kapacita izolační bariéry dále umožňuje dosažení velmi vysoké strmosti změny napětí na izolační bariéře (dU/dt).

  • Název v anglickém jazyce

    Fast operating SiC MOSFET or IGBT gate driver

  • Popis výsledku anglicky

    The GD001 gate driver galvanically isolates control circuits from the switching power stage. The controlled devices could be either SiC MOSFET, IGBT or Si MOSFET. Output current is up to 4A peak. Small resonant DC/DC power converter ensures the galvanicisolation of the supply voltage. When compared to any of the commercially available gate drivers, the GD001 gate driver allows much higher switching frequencies (up to 2MHz). Exceptionally low coupling capacitance enables reaching very high voltage change steepness (dV/dt) across the isolation barrier.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ED0014%2F01%2F01" target="_blank" >ED0014/01/01: Centrum výzkumu a využití obnovitelných zdrojů energie</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    GD001

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    Napájecí napětí 15V +-2V Maximální příkon 2W Pracovní kmitočet budiče 0-2MHz Špičkový výstupní proud až 4A Odolnost dU/dt minimálně 50kV/us Rozměry 81x30x8 mm

  • Ekonomické parametry

    Na rozdíl od existujících řešení umožní bez problémů dosáhnout vysokých spínacích kmitočtů za přijatelnou cenu.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    00216305

  • Název vlastníka

    Centrum výzkumu a využití obnovitelných zdrojů energie

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem