Tracking Deadtime Algorithm for GaN DC/DC Converter

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F19%3A00333922" target="_blank" >RIV/68407700:21230/19:00333922 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8866992" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8866992</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.23919/AE.2019.8866992" target="_blank" >10.23919/AE.2019.8866992</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Tracking Deadtime Algorithm for GaN DC/DC Converter
Popis výsledku v původním jazyce
The presented method automatically adjusts the deadtime of gallium nitride (GaN) transistors in half-bridge to increase the efficiency. This removes the need of manual measuring and setting the deadtime of the finished converter. The developed algorithm was tested and compared with the fixed deadtime case. The obtained results show that the developed algorithm is achieving higher and more stable efficiency compared to selected fixed deadtime.
Název v anglickém jazyce
Tracking Deadtime Algorithm for GaN DC/DC Converter
Popis výsledku anglicky
The presented method automatically adjusts the deadtime of gallium nitride (GaN) transistors in half-bridge to increase the efficiency. This removes the need of manual measuring and setting the deadtime of the finished converter. The developed algorithm was tested and compared with the fixed deadtime case. The obtained results show that the developed algorithm is achieving higher and more stable efficiency compared to selected fixed deadtime.

Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)