Bulk-driven napěťový atenuátor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APA21444" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PA21444 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf" target="_blank" >http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Bulk-driven napěťový atenuátor

Popis výsledku v původním jazyce

Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.

Název v anglickém jazyce

A bulk-driven voltage attenuator

Popis výsledku anglicky

A bulk-driven voltage attenuator contains two PMOS transistors connected cascadedly between the supply voltage and the ground. The drain electrode of the first transistor is connected to the source electrode of the second transistor, the supply voltage is applied to the source electrode of the first transistor. The first input voltage is led out to the bulk electrode of the second transistor, the second input voltage is lead out to the bulk electrode of the first transistor. The output voltage is led from the source electrode of the second transistor. The gate and the drain electrode of the second transistor are grounded. The drain electrode of the first transistor is connected to the source electrode of the second transistor. The gate of the first transistor is lead out to the control voltage that ensures that the DC voltage level at the attenuator output is at half value of the supply voltage. This increases the input voltage range of the following circuit, which is connected to the attenuator output, i.e. to the output voltage clamp.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GA15-21942S" target="_blank" >GA15-21942S: Výzkum nových analogových integrovaných obvodových principů pro implementovatelná a nositelná biomedicínská zařízení s bateriovým napájením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

307308

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

11. 4. 2018

Název vlastníka

VUT v Brně.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence