Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

An OECT electrode platform for gas sensor applications

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F21%3A43962070" target="_blank" >RIV/49777513:23220/21:43962070 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9467563" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9467563</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE51996.2021.9467563" target="_blank" >10.1109/ISSE51996.2021.9467563</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    An OECT electrode platform for gas sensor applications

  • Popis výsledku v původním jazyce

    An organic electrochemical transistor (OECT) involving a source-drain channel based on poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) and ionic liquid 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate [BMIM][BF4] as electrolyte is presented. The basic transistor behaviour was studied by the measurement of the current-voltage characteristics (output and transfer characteristics) and the current-time traces of the drain-source current (IDS). Besides the effects of both drain-source voltage (VDS) and gate-source voltage (VGS) on the level of drain-source current (IDS) flowing through the channel, the effect of the gate electrode material on the transistor behaviour was studied as well. The ionic liquid-gate electrode interface was optimized in order to obtain a swift and reproducible modulation of the drain- source current (IDS) by the gate-source voltage (VGS). Subsequently, the optimized OECT device was exposed to a gaseous analyte (NO2) in order to investigate its detection capability. It was observed that the level of the drain-source current (IDS) can be influenced by the gas concentration that the OECT was exposed to. In other words, drain-source current can be modulated by a gaseous analyte instead of the gate-source voltage (VGS), which brings new applications for such an electronic device.

  • Název v anglickém jazyce

    An OECT electrode platform for gas sensor applications

  • Popis výsledku anglicky

    An organic electrochemical transistor (OECT) involving a source-drain channel based on poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) and ionic liquid 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate [BMIM][BF4] as electrolyte is presented. The basic transistor behaviour was studied by the measurement of the current-voltage characteristics (output and transfer characteristics) and the current-time traces of the drain-source current (IDS). Besides the effects of both drain-source voltage (VDS) and gate-source voltage (VGS) on the level of drain-source current (IDS) flowing through the channel, the effect of the gate electrode material on the transistor behaviour was studied as well. The ionic liquid-gate electrode interface was optimized in order to obtain a swift and reproducible modulation of the drain- source current (IDS) by the gate-source voltage (VGS). Subsequently, the optimized OECT device was exposed to a gaseous analyte (NO2) in order to investigate its detection capability. It was observed that the level of the drain-source current (IDS) can be influenced by the gas concentration that the OECT was exposed to. In other words, drain-source current can be modulated by a gaseous analyte instead of the gate-source voltage (VGS), which brings new applications for such an electronic device.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    2021 44th International Spring Seminar on Electronics Technology : /proceedings/

  • ISBN

    978-1-66541-477-7

  • ISSN

  • e-ISSN

    2161-2536

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1-6

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    Piscaway

  • Místo konání akce

    web-basec Conference, Bautzen, Germany

  • Datum konání akce

    5. 5. 2021

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000853459100021