Effect of the gate electrode/electrolyte interface on OECT performance
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F22%3A43965442" target="_blank" >RIV/49777513:23220/22:43965442 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9812801" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9812801</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE54558.2022.9812801" target="_blank" >10.1109/ISSE54558.2022.9812801</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of the gate electrode/electrolyte interface on OECT performance
Popis výsledku v původním jazyce
An organic electrochemical transistor (OECT) with a standard vertical topology and poly(3,4-ethylene-dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as the active material of the channel is presented. It was found that the specific combination of the gate electrode material and electrolyte influences the transistor behavior. The effect of the different gate electrode/electrolyte interface on transistor performance were investigated by measuring the current-voltage characteristics, specifically the output and transfer characteristics, and the time-current dynamic characteristics. The influence of the type of the gate electrode/electrolyte interface on typical transistor parameters such as transconductance, ION/IOFF ratio and modulation response time (tON,tOFF) is also discussed.
Název v anglickém jazyce
Effect of the gate electrode/electrolyte interface on OECT performance
Popis výsledku anglicky
An organic electrochemical transistor (OECT) with a standard vertical topology and poly(3,4-ethylene-dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as the active material of the channel is presented. It was found that the specific combination of the gate electrode material and electrolyte influences the transistor behavior. The effect of the different gate electrode/electrolyte interface on transistor performance were investigated by measuring the current-voltage characteristics, specifically the output and transfer characteristics, and the time-current dynamic characteristics. The influence of the type of the gate electrode/electrolyte interface on typical transistor parameters such as transconductance, ION/IOFF ratio and modulation response time (tON,tOFF) is also discussed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2022 45th International Spring Seminar on Electronics Technology : /proceedings/
ISBN
978-1-66546-589-2
ISSN
2161-2536
e-ISSN
2161-2536
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1-5
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscaway
Místo konání akce
Vienna, Austria
Datum konání akce
11. 5. 2022
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000853642200044