Memristor Emulator Applications Using the MOS-Only Technique
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU128600" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU128600 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8623837" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8623837</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2018.8623837" target="_blank" >10.1109/MWSCAS.2018.8623837</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Memristor Emulator Applications Using the MOS-Only Technique
Popis výsledku v původním jazyce
The aim of this paper is to present a work towards a MOS transistor memristor emulator. The starting circuit employs an opamp, negative capacitors and loaded with a nonlinear resistor. The final aim is to design a memristor with only MOS transistors which is easily integrable. To implement the negative capacitance several possible potential circuit examples of MOS-Only type are given. These capacitors realize floating negative capacitances and the ac small signal form is shown. Some simulation results are included to verify theory.
Název v anglickém jazyce
Memristor Emulator Applications Using the MOS-Only Technique
Popis výsledku anglicky
The aim of this paper is to present a work towards a MOS transistor memristor emulator. The starting circuit employs an opamp, negative capacitors and loaded with a nonlinear resistor. The final aim is to design a memristor with only MOS transistors which is easily integrable. To implement the negative capacitance several possible potential circuit examples of MOS-Only type are given. These capacitors realize floating negative capacitances and the ac small signal form is shown. Some simulation results are included to verify theory.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 2018 61st IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)
ISBN
978-1-5386-7392-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
254-257
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Windsor, Canada
Místo konání akce
Windsor, Canada
Datum konání akce
5. 8. 2018
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000458657500063