Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Improved MESFET/pHEMT Models and Their Comprehensive Comparison With Standard Ones

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APU134658" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PU134658 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8953098" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8953098</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/APCCAS47518.2019.8953098" target="_blank" >10.1109/APCCAS47518.2019.8953098</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Improved MESFET/pHEMT Models and Their Comprehensive Comparison With Standard Ones

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In the paper, we suggest several new updates to the equations that ordinarily describe the MESFETs and pHEMTs in both DC and time domains. We have composed some novel forms of the equations that are especially convenient for accurate describing transconductance voltage dependences, which is important for realistic modeling the low noise amplifiers with pHEMTs including calculations of their IP3 points. In other words, the attention is not only directed to the precision of the equation themselves, but also to the accuracy of the derivatives of them with respect to both gate-source and gate-drain voltages (up to the third order). The paper contains comprehensive comparisons of our recently updated models with our previous one and many others; two pHEMTs have been used for comparisons: the first working from 1 GHz up to 18 GHz, and the second operating at the frequencies greater than 100 GHz. Both DC characteristics and high-frequency s-parameters have been compared, and the comparisons show that the precision of our model modifications is at least comparable with the model like TriQuint ones.

  • Název v anglickém jazyce

    Improved MESFET/pHEMT Models and Their Comprehensive Comparison With Standard Ones

  • Popis výsledku anglicky

    In the paper, we suggest several new updates to the equations that ordinarily describe the MESFETs and pHEMTs in both DC and time domains. We have composed some novel forms of the equations that are especially convenient for accurate describing transconductance voltage dependences, which is important for realistic modeling the low noise amplifiers with pHEMTs including calculations of their IP3 points. In other words, the attention is not only directed to the precision of the equation themselves, but also to the accuracy of the derivatives of them with respect to both gate-source and gate-drain voltages (up to the third order). The paper contains comprehensive comparisons of our recently updated models with our previous one and many others; two pHEMTs have been used for comparisons: the first working from 1 GHz up to 18 GHz, and the second operating at the frequencies greater than 100 GHz. Both DC characteristics and high-frequency s-parameters have been compared, and the comparisons show that the precision of our model modifications is at least comparable with the model like TriQuint ones.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TH02010981" target="_blank" >TH02010981: Vývoj efektivního klimatizačního systému pro cvičný proudový letoun</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    2019 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS)

  • ISBN

    978-1-7281-2939-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    149-152

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    USA

  • Místo konání akce

    Bangkok, Thajsko

  • Datum konání akce

    11. 11. 2019

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000530745700038