The method of preparation of aluminum nitride thin films by molecular layering
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APA21626" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PA21626 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
ruština
Název v původním jazyce
Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания
Popis výsledku v původním jazyce
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.
Název v anglickém jazyce
The method of preparation of aluminum nitride thin films by molecular layering
Popis výsledku anglicky
The invention relates to the field of micro- and nanoelectronics, and more specifically, to a technology for producing epitaxial films of aluminum nitride, and can be applied in the field of acousto-and optoelectronics. The method consists in forming an AlN layer by molecular layering on a sapphire substrate at temperatures up to 260 ° C. using trimethylaluminum (Al (CH3) 3) precursors as a source of aluminum atoms and hydrazine (N2H4) or hydrazine chloride (N2H5Cl) as a nitrogen-containing precursor followed by annealing the resulting structure in an atmosphere of molecular nitrogen at temperatures up to 1400 ° C.
Klasifikace
Druh
P - Patent
CEP obor
—
OECD FORD obor
21001 - Nano-materials (production and properties)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1401" target="_blank" >LO1401: Interdisciplinární výzkum bezdrátových technologií</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
2018139626/05(065797)
Vydavatel
RU001 -
Název vydavatele
Federal Service for Intellectual Property, Patents and Trademarks (ROSPATENT)
Místo vydání
Moscow
Stát vydání
RU - Ruská federace
Datum přijetí
2. 2. 2020
Název vlastníka
SICLAB Limited Liability Company, Makhachkala, st. M. Yaragskogo 75, Dagestan Republic, 367000, Russia
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence