Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The method of preparation of aluminum nitride thin films by molecular layering

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APA21626" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PA21626 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    ruština

  • Název v původním jazyce

    Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.

  • Název v anglickém jazyce

    The method of preparation of aluminum nitride thin films by molecular layering

  • Popis výsledku anglicky

    The invention relates to the field of micro- and nanoelectronics, and more specifically, to a technology for producing epitaxial films of aluminum nitride, and can be applied in the field of acousto-and optoelectronics. The method consists in forming an AlN layer by molecular layering on a sapphire substrate at temperatures up to 260 ° C. using trimethylaluminum (Al (CH3) 3) precursors as a source of aluminum atoms and hydrazine (N2H4) or hydrazine chloride (N2H5Cl) as a nitrogen-containing precursor followed by annealing the resulting structure in an atmosphere of molecular nitrogen at temperatures up to 1400 ° C.

Klasifikace

  • Druh

    P - Patent

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    21001 - Nano-materials (production and properties)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1401" target="_blank" >LO1401: Interdisciplinární výzkum bezdrátových technologií</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Číslo patentu nebo vzoru

    2018139626/05(065797)

  • Vydavatel

    RU001 -

  • Název vydavatele

    Federal Service for Intellectual Property, Patents and Trademarks (ROSPATENT)

  • Místo vydání

    Moscow

  • Stát vydání

    RU - Ruská federace

  • Datum přijetí

    2. 2. 2020

  • Název vlastníka

    SICLAB Limited Liability Company, Makhachkala, st. M. Yaragskogo 75, Dagestan Republic, 367000, Russia

  • Způsob využití

    A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence