A Compact 0.3-V Class AB Bulk-Driven OTA

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APU132924" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PU132924 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/20:00349095

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1109/TVLSI.2019.2937206" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/TVLSI.2019.2937206</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TVLSI.2019.2937206" target="_blank" >10.1109/TVLSI.2019.2937206</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A Compact 0.3-V Class AB Bulk-Driven OTA

Popis výsledku v původním jazyce

In this work, a new solution for an ultra-low-voltage, (ULV) ultra-low-power (ULP) operational transconductance amplifier (OTA) is presented. Thanks to the combination of a low-voltage bulk-driven non-tailed differential stage with the multipath Miller zero compensation technique, a simple class AB power-efficient ULV structure has been obtained, which can operate from supply voltages less than the threshold voltages of the employed MOS transistors, while offering rail-to-rail input common-mode range at the same time. The proposed OTA was fabricated using the 180 nm CMOS process from TSMC and can operate from VDD ranging from 0.3 to 0.5 V. The 0.3-V version dissipates only 12.6 nW of power, while showing a 64.7 dB voltage gain at 1 Hz, 2.96 kHz gain-bandwidth product and a 4.15 V/ms average slew-rate at 30 pF load capacitance. The measured results agree well with simulations.

Název v anglickém jazyce

A Compact 0.3-V Class AB Bulk-Driven OTA

Popis výsledku anglicky

In this work, a new solution for an ultra-low-voltage, (ULV) ultra-low-power (ULP) operational transconductance amplifier (OTA) is presented. Thanks to the combination of a low-voltage bulk-driven non-tailed differential stage with the multipath Miller zero compensation technique, a simple class AB power-efficient ULV structure has been obtained, which can operate from supply voltages less than the threshold voltages of the employed MOS transistors, while offering rail-to-rail input common-mode range at the same time. The proposed OTA was fabricated using the 180 nm CMOS process from TSMC and can operate from VDD ranging from 0.3 to 0.5 V. The 0.3-V version dissipates only 12.6 nW of power, while showing a 64.7 dB voltage gain at 1 Hz, 2.96 kHz gain-bandwidth product and a 4.15 V/ms average slew-rate at 30 pF load capacitance. The measured results agree well with simulations.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/LO1401" target="_blank" >LO1401: Interdisciplinární výzkum bezdrátových technologií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Trans. on VLSI Systems.

ISSN

1063-8210

e-ISSN

1557-9999

Svazek periodika

28

Číslo periodika v rámci svazku

1, IF: 2.037

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

224-232

Kód UT WoS článku

000506608100020

EID výsledku v databázi Scopus

—