Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Flux-Controlled Memristor Emulator and Its Experimental Results

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APU134628" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PU134628 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1109/TVLSI.2020.2966292" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/TVLSI.2020.2966292</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/TVLSI.2020.2966292" target="_blank" >10.1109/TVLSI.2020.2966292</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Flux-Controlled Memristor Emulator and Its Experimental Results

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A flux-controlled memristor emulator built with off-the-shelf electronic devices and based on a TiO₂ model is presented in this article. The circuit proposed in this article uses the current mode approach based analog building blocks such as a second-generation current conveyor (CCII) and an operational transconductance amplifier (OTA) as an active element with few passive elements. The circuit shows a clear fingerprint of an ideal memristor. The offered emulator circuit can be made to operate in incremental and decremental modes and functions well up to 26.3 MHz. Nonvolatility, Monte Carlo sampling, and corner analysis simulations are executed to verify the robustness of the circuit. The functional verification of the presented circuit is performed using the 0.18-μm CMOS parameter at a supply voltage of ±1.2 V. The experimental demonstration is carried out by making a prototype on a breadboard using ICs AD844AN and CA3080, which exhibits a good agreement with theoretical and simulation results. The layout of the circuit, which requires a total chip area of 75 x 70 μm², is also created. Single/parallel combinations of a memristor, a high-pass filter, and a chaotic system are presented to demonstrate its application.

  • Název v anglickém jazyce

    Flux-Controlled Memristor Emulator and Its Experimental Results

  • Popis výsledku anglicky

    A flux-controlled memristor emulator built with off-the-shelf electronic devices and based on a TiO₂ model is presented in this article. The circuit proposed in this article uses the current mode approach based analog building blocks such as a second-generation current conveyor (CCII) and an operational transconductance amplifier (OTA) as an active element with few passive elements. The circuit shows a clear fingerprint of an ideal memristor. The offered emulator circuit can be made to operate in incremental and decremental modes and functions well up to 26.3 MHz. Nonvolatility, Monte Carlo sampling, and corner analysis simulations are executed to verify the robustness of the circuit. The functional verification of the presented circuit is performed using the 0.18-μm CMOS parameter at a supply voltage of ±1.2 V. The experimental demonstration is carried out by making a prototype on a breadboard using ICs AD844AN and CA3080, which exhibits a good agreement with theoretical and simulation results. The layout of the circuit, which requires a total chip area of 75 x 70 μm², is also created. Single/parallel combinations of a memristor, a high-pass filter, and a chaotic system are presented to demonstrate its application.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Trans. on VLSI Systems.

  • ISSN

    1063-8210

  • e-ISSN

    1557-9999

  • Svazek periodika

    28

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4, IF: 2.037

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    12

  • Strana od-do

    1050-1061

  • Kód UT WoS článku

    000522421700017

  • EID výsledku v databázi Scopus