Binary memory with orthogonal eigenspaces: from stable states to chaotic oscillations
Popis výsledku
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
https://link.springer.com/article/10.1140/epjst/e2020-900242-1
DOI - Digital Object Identifier
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Binary memory with orthogonal eigenspaces: from stable states to chaotic oscillations
Popis výsledku v původním jazyce
This short paper demonstrates numerically and experimentally observed transitions between the stable states, regular and chaotic oscillations in the case of state representations of binary memory transformed into the Jordan form. Math model of original memory describes simple anti-series connection of two resonant tunneling diodes (RTDs). Derived third-order dynamical system is analyzed with respect to global behavior and, consequently, implemented as lumped analog circuit with piecewise linear (PWL) vector field. Oscilloscope screenshots prove that chaotic motion of binary memory is robust.
Název v anglickém jazyce
Binary memory with orthogonal eigenspaces: from stable states to chaotic oscillations
Popis výsledku anglicky
This short paper demonstrates numerically and experimentally observed transitions between the stable states, regular and chaotic oscillations in the case of state representations of binary memory transformed into the Jordan form. Math model of original memory describes simple anti-series connection of two resonant tunneling diodes (RTDs). Derived third-order dynamical system is analyzed with respect to global behavior and, consequently, implemented as lumped analog circuit with piecewise linear (PWL) vector field. Oscilloscope screenshots prove that chaotic motion of binary memory is robust.
Klasifikace
Druh
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
European Physical Journal-Special Topics
ISSN
1951-6355
e-ISSN
1951-6401
Svazek periodika
229
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
FR - Francouzská republika
Počet stran výsledku
12
Strana od-do
1021-1032
Kód UT WoS článku
000523299900013
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85082516057
Druh výsledku
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
OECD FORD
Electrical and electronic engineering
Rok uplatnění
2020