Estimating the Power BJT Excess Charge Recombination Time Constant
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APU137473" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PU137473 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.fekt.vut.cz/conf/EEICT/archiv/sborniky/EEICT_2020_sbornik_1.pdf" target="_blank" >https://www.fekt.vut.cz/conf/EEICT/archiv/sborniky/EEICT_2020_sbornik_1.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Estimating the Power BJT Excess Charge Recombination Time Constant
Popis výsledku v původním jazyce
The paper demonstrates an experimental way of estimating the excess minority carrierscharge stored within the the power bipolar transistor in the saturation mode, i.e. with both junctionsforward-biased, as a reference to future IGBT switching action analysis. The method is based onanalyzing the transient turn-off base current waveforms at different conditions right before this event.The base current is known to supply the minority carriers within the device. Estimating the recom-bination time constant serves as a basal precondition for further identification of the excess chargestorage depending on various operating conditions and retrospectively an accurate identification ofpower BJT and IGBT various partial stage of switching action.
Název v anglickém jazyce
Estimating the Power BJT Excess Charge Recombination Time Constant
Popis výsledku anglicky
The paper demonstrates an experimental way of estimating the excess minority carrierscharge stored within the the power bipolar transistor in the saturation mode, i.e. with both junctionsforward-biased, as a reference to future IGBT switching action analysis. The method is based onanalyzing the transient turn-off base current waveforms at different conditions right before this event.The base current is known to supply the minority carriers within the device. Estimating the recom-bination time constant serves as a basal precondition for further identification of the excess chargestorage depending on various operating conditions and retrospectively an accurate identification ofpower BJT and IGBT various partial stage of switching action.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů