Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Estimating the Power BJT Excess Charge Recombination Time Constant

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APU137473" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PU137473 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.fekt.vut.cz/conf/EEICT/archiv/sborniky/EEICT_2020_sbornik_1.pdf" target="_blank" >https://www.fekt.vut.cz/conf/EEICT/archiv/sborniky/EEICT_2020_sbornik_1.pdf</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Estimating the Power BJT Excess Charge Recombination Time Constant

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper demonstrates an experimental way of estimating the excess minority carrierscharge stored within the the power bipolar transistor in the saturation mode, i.e. with both junctionsforward-biased, as a reference to future IGBT switching action analysis. The method is based onanalyzing the transient turn-off base current waveforms at different conditions right before this event.The base current is known to supply the minority carriers within the device. Estimating the recom-bination time constant serves as a basal precondition for further identification of the excess chargestorage depending on various operating conditions and retrospectively an accurate identification ofpower BJT and IGBT various partial stage of switching action.

  • Název v anglickém jazyce

    Estimating the Power BJT Excess Charge Recombination Time Constant

  • Popis výsledku anglicky

    The paper demonstrates an experimental way of estimating the excess minority carrierscharge stored within the the power bipolar transistor in the saturation mode, i.e. with both junctionsforward-biased, as a reference to future IGBT switching action analysis. The method is based onanalyzing the transient turn-off base current waveforms at different conditions right before this event.The base current is known to supply the minority carriers within the device. Estimating the recom-bination time constant serves as a basal precondition for further identification of the excess chargestorage depending on various operating conditions and retrospectively an accurate identification ofpower BJT and IGBT various partial stage of switching action.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů