On-Chip Discrete Capacitive Fractional-Order Elements in MOS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F26%3A0200358" target="_blank" >RIV/00216305:26220/26:0200358 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

On-Chip Discrete Capacitive Fractional-Order Elements in MOS

Popis výsledku v původním jazyce

The MOS FOE is an experimental prototype integrated circuit containing eight different Fractional-Order Elements (FOEs), also referred to as fractors or Constant Phase Elements (CPEs). The device is fabricated in the TSMC 65 nm CMOS process and packaged in a ceramic LQFP-64 package. It is characterized by very low power consumption and operates from a 2.5 V supply voltage.

Název v anglickém jazyce

On-Chip Discrete Capacitive Fractional-Order Elements in MOS

Popis výsledku anglicky

The MOS FOE is an experimental prototype integrated circuit containing eight different Fractional-Order Elements (FOEs), also referred to as fractors or Constant Phase Elements (CPEs). The device is fabricated in the TSMC 65 nm CMOS process and packaged in a ceramic LQFP-64 package. It is characterized by very low power consumption and operates from a 2.5 V supply voltage.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GA23-06070S" target="_blank" >GA23-06070S: Základní výzkum v návrhu CMOS prvků fraktálního řádu</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

MOS-FOE

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Funkční vzorek s názvem "On-Chip Discrete Capacitive Fractional-Order Elements in MOS" představuje integrované CMOS buňky tvořící pasivní obvodové prvky kapacitního charakteru s impedancí neceločíselného (zlomkového) řádu. Některé vyvinuté prvky mají pevnou hodnotu neceločíselného řádu, jiné pak mají řád přeladitelný v určitém rozsahu. Typické neladitelné hodnoty neceločíselného řádu jsou alfa rovno 0,753, 0,711, 0,768 a 0.5, zatímco laditelné varianty umožňují plynulé nastavení v rozsazích alfa od 0,689 do 0,800, od 0,600 do 0,711, od 0,711 do 0,822 a od 0,444 do 0,555. Typická velikost impedance se při střední pracovní frekvenci pohybuje v řádu desítek až stovek kiloohmů. Pracovní frekvenční pásmo dosahuje až 4,8 dekády u neladitelných prvků a až 3 dekády u laditelných variant. Zvlnění fáze admitance je typicky 9 stupňů u neladitelných prvků a přibližně 1 stupeň u přeladitelných prvků, s rozsahem ladění fáze v rozmezí 10 stupňů. Čip byl navržen v technologii TSMC CMOS 65 nm a je určen pro použití ve frekvenčních filtrech, oscilátorech, syntetických imitančních prvcích, obvodech a systémech neceločíselného řádu a také pro behaviorální modelování.

Ekonomické parametry

Jedná se o unikátní vědecké experimentální zařízení (nekomerční). Výsledek představuje komplexní čip se sedmi různými strukturami s impedancí neceločíselného řádu, který je možné při dalších návrzích upravit pro potřeby výzkumu a vývoje daného uživatele výsledku. Výsledek potvrzuje realizovatelnost FOE v CMOS technologiích, což má zásadní pozitivní ekonomické dopady.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

00216305

Název vlastníka

Vysoké učení technické v Brně

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—