Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Protection by Deposition of Parylene and SiOx Thin Layers

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F12%3APU105249" target="_blank" >RIV/00216305:26310/12:PU105249 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Protection by Deposition of Parylene and SiOx Thin Layers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The aim of this work is protection of archaeological artefacts due to the thin films of parylene and SiOx. Thin films of parylene were prepared by CVD technique and SiOx thin films were prepared by PECVD. This thin films were characterized by various methods, for example by SEM, OTR, XPS and FTIR.

  • Název v anglickém jazyce

    Protection by Deposition of Parylene and SiOx Thin Layers

  • Popis výsledku anglicky

    The aim of this work is protection of archaeological artefacts due to the thin films of parylene and SiOx. Thin films of parylene were prepared by CVD technique and SiOx thin films were prepared by PECVD. This thin films were characterized by various methods, for example by SEM, OTR, XPS and FTIR.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    AC - Archeologie, antropologie, etnologie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GD104%2F09%2FH080" target="_blank" >GD104/09/H080: Plazmochemické procesy a jejich technologické aplikace</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů