The influence of solution-processed small-molecule semiconductor to control of OFET properties

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F14%3APU112355" target="_blank" >RIV/00216305:26310/14:PU112355 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The influence of solution-processed small-molecule semiconductor to control of OFET properties

Popis výsledku v původním jazyce

The aim of this study is to elucidate the influence of metal electrode and dielectric surface modifications on the performance of 3,6-bis(5-(benzofuran-2-yl)thiophen-2-yl)-2,5-bis(2-ethylhexyl) pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione (referred as DPP(TBFu)2) based organic field effect transistors (OFETs). The performance of OFETs is dependent on the charge carrier injection from contact and their transport within the first organic semiconductor (OSC) monolayers at the interface with the gate dielectric. The application of organosilane self-assembled monolayers (SAMs) on gate-dielectrics (SiO2) induced two orders of magnitude increase of charge carrier mobility. The processing of the transistor electrodes aims to reduce the contact resistance (Rc) at the interface with the OSC, which influences injection and extraction of charge carriers. In the case of the hole injection barrier (p-type OSCs), i.e., the difference between the ionization potential of OSC and the Fermi level of metal electrode,

Název v anglickém jazyce

The influence of solution-processed small-molecule semiconductor to control of OFET properties

Popis výsledku anglicky

The aim of this study is to elucidate the influence of metal electrode and dielectric surface modifications on the performance of 3,6-bis(5-(benzofuran-2-yl)thiophen-2-yl)-2,5-bis(2-ethylhexyl) pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione (referred as DPP(TBFu)2) based organic field effect transistors (OFETs). The performance of OFETs is dependent on the charge carrier injection from contact and their transport within the first organic semiconductor (OSC) monolayers at the interface with the gate dielectric. The application of organosilane self-assembled monolayers (SAMs) on gate-dielectrics (SiO2) induced two orders of magnitude increase of charge carrier mobility. The processing of the transistor electrodes aims to reduce the contact resistance (Rc) at the interface with the OSC, which influences injection and extraction of charge carriers. In the case of the hole injection barrier (p-type OSCs), i.e., the difference between the ionization potential of OSC and the Fermi level of metal electrode,

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Studentská odborná konference Chemie je život 2014

ISBN

978-80-214-5077-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

104

Strana od-do

93-93

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta chemická, Purkyňova 464/118, 612 00 Brno

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Purkyňova 118, 612 00 Brno

Datum konání akce

4. 12. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—