Simple Method for the Determination of the Type of Charge Carriers in Semiconductors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F16%3APU115240" target="_blank" >RIV/00216305:26310/16:PU115240 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://www.scientific.net/MSF.851.179" target="_blank" >https://www.scientific.net/MSF.851.179</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.851.179" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/MSF.851.179</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Simple Method for the Determination of the Type of Charge Carriers in Semiconductors

Popis výsledku v původním jazyce

The source-drain current-voltage characteristic is linear and symmetric at low voltages. The linearity and symmetry can be influenced by the electric potential of a gate electrode. Because the process is sensitive to the type of semiconductor, the method – “modified field effect transistor method” – can be used for the determination of the type of majority charge carriers. No insulating layer between the source-drain and gate electrodes is used. The effect is demonstrated on P- and N type organic semiconductors, 6-bis[5-(benzofuran-2-yl)-thiofen-2-yl]-2,5-bis(2-ethylhexyl) pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione [DPP(TBFu)2] and phenyl-C61-butyric acid methyl ester [PCBM], respectively.

Název v anglickém jazyce

Simple Method for the Determination of the Type of Charge Carriers in Semiconductors

Popis výsledku anglicky

The source-drain current-voltage characteristic is linear and symmetric at low voltages. The linearity and symmetry can be influenced by the electric potential of a gate electrode. Because the process is sensitive to the type of semiconductor, the method – “modified field effect transistor method” – can be used for the determination of the type of majority charge carriers. No insulating layer between the source-drain and gate electrodes is used. The effect is demonstrated on P- and N type organic semiconductors, 6-bis[5-(benzofuran-2-yl)-thiofen-2-yl]-2,5-bis(2-ethylhexyl) pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione [DPP(TBFu)2] and phenyl-C61-butyric acid methyl ester [PCBM], respectively.

Druh

J_SC - Článek v periodiku v databázi SCOPUS

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science Forum

ISSN

0255-5476

e-ISSN

—

Svazek periodika

851

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

179-183

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84978983297